Abkürzung für 'Error Checking and Correcting-RAM'
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https://www.enzyklo.de/Lokal/40001
Der EDO DRAM (oder Hyper PageMode DRAM) arbeitet ähnlich wie der FPM-Speicher, ist aber schneller dank Änderungen des CAS (Column Address Signal) und des verlängerten Data-Outputs. Diese Chips können Datenwerte noch zum Auslesen bereit halten, während bereits die nächste Adresse angelegt wird. Das beschleunigt Lesevorgänge. Im Vergleich mit ...
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https://www.enzyklo.de/Lokal/40025
Keine exakte Übereinkunft gefunden.
